IXFE73N30Q IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

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Stückpreis : Fr. 32.60800

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFE73N30Q
DigiKey-Teilenr.	IXFE73N30Q-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFE73N30Q
Beschreibung	MOSFET N-CH 300V 66A SOT-227B
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 300 V 66 A (Tc) 400W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q Class
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	300 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	66 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	46mOhm bei 36,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	190 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6400 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	400W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227B
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer	IXFE73