Name: IXFH12N100P
Brand: IXYS
SKU: IXFH12N100P-ND
Price: 8.84258 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFH12N100P
DigiKey-Teilenr.	IXFH12N100P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFH12N100P
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 12 A (Tc) 463W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	12 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,05Ohm bei 6A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	80 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4080 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	463W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247AD (IXFH)
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IXFH12

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30	Fr. 4.42267	Fr. 132.68
120	Fr. 4.15117	Fr. 498.14
510	Fr. 3.82649	Fr. 1’951.51

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