Name: IXFH18N100Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFH18N100Q3-ND
Price: 18.96074 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 1000 V 18 A (Tc) 830W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)

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IXFH18N100Q3
DigiKey-Teilenr.	IXFH18N100Q3-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFH18N100Q3
Beschreibung	MOSFET N-CH 1000V 18A TO247AD
Standardlieferzeit des Herstellers	46 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1000 V 18 A (Tc) 830W (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD (IXFH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 6,5V bei 4mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 90 nC @ 10 V
Serie HiPerFET™, Q3 Class	Vgs (Max.) ±30V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4890 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 830W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1000 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247AD (IXFH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 18 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-247-3
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXFH18
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 660mOhm bei 9A, 10V

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120	Fr. 9.65850	Fr. 1’159.02
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