Name: IXFH20N85X
Brand: IXYS
SKU: IXFH20N85X-ND
Price: 9.25336 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFH20N85X
DigiKey-Teilenr.	IXFH20N85X-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFH20N85X
Beschreibung	MOSFET N-CH 850V 20A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 850 V 20 A (Tc) 540W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	850 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	330mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 2,5mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	63 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1660 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	540W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle	TO-247-3
Basis-Produktnummer	IXFH20

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30	Fr. 4.81033	Fr. 144.31
120	Fr. 4.44025	Fr. 532.83
510	Fr. 4.13920	Fr. 2’110.99

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