Name: IXFT30N50Q3
Brand: IXYS
SKU: IXFT30N50Q3-ND
Price: 8.11831 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFT30N50Q3
DigiKey-Teilenr.	IXFT30N50Q3-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFT30N50Q3
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 30A TO268
Standardlieferzeit des Herstellers	44 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 30 A (Tc) 690W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Q3 Class
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	30 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	200mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	6,5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	62 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3200 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	690W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268AA
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	IXFT30

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1	Fr. 7.51000	Fr. 7.51
30	Fr. 7.36467	Fr. 220.94
120	Fr. 7.07175	Fr. 848.61
510	Fr. 6.94829	Fr. 3’543.63

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