N-Kanal 1000 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
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IXFH32N100X

DigiKey-Teilenr.
IXFH32N100X-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFH32N100X
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 32A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 32 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
220mOhm bei 16A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
6V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4075 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
890W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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