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IXFH50N60X ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXFH50N60X | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXFH50N60X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFH50N60X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 50A TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 50 A (Tc) 660W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 4mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 116 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4660 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 660W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 73mOhm bei 25A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (10)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXFH60N65X2 | IXYS | 5’072 | 238-IXFH60N65X2-ND | Fr. 10.78000 | Vom Hersteller empfohlen |
| FCH070N60E | onsemi | 487 | FCH070N60EOS-ND | Fr. 7.05000 | Ähnlich |
| IPW60R070CFD7XKSA1 | Infineon Technologies | 834 | 448-IPW60R070CFD7XKSA1-ND | Fr. 5.76000 | Ähnlich |
| IPW60R080P7XKSA1 | Infineon Technologies | 6’480 | 448-IPW60R080P7XKSA1-ND | Fr. 5.13000 | Ähnlich |
| SIHG47N65E-GE3 | Vishay Siliconix | 500 | 742-SIHG47N65E-GE3-ND | Fr. 7.56000 | Ähnlich |
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Obsolet
