Name: IXFH60N65X2-4
Brand: IXYS
SKU: IXFH60N65X2-4-ND
Price: 12.50717 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFH60N65X2-4
DigiKey-Teilenr.	IXFH60N65X2-4-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFH60N65X2-4
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 60A TO247-4L
Standardlieferzeit des Herstellers	41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 60 A (Tc) 780W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IXFH60N65X2-4 Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	60 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	52mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	108 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	6300 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	780W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-247-4L
Gehäuse / Hülle	TO-247-4
Basis-Produktnummer	IXFH60

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30	Fr. 7.06533	Fr. 211.96
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