Name: IXFK170N20T
Brand: IXYS
SKU: IXFK170N20T-ND
Price: 13.82599 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFK170N20T
DigiKey-Teilenr.	IXFK170N20T-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFK170N20T
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 170A TO264AA
Standardlieferzeit des Herstellers	24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 170 A (Tc) 1150W (Tc) Durchkontaktierung TO-264AA (IXFK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Trench
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	170 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	11mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	265 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	19600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	1150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-264AA (IXFK)
Gehäuse / Hülle	TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer	IXFK170

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