IXFN30N110P IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFN30N110P
DigiKey-Teilenr.	IXFN30N110P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFN30N110P
Beschreibung	MOSFET N-CH 1100V 25A SOT-227B
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1100 V 25 A (Tc) 695W (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	25 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	360mOhm bei 15A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	6,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	235 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	13600 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	695W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227B
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer	IXFN30