IXFN50N120SIC IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

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IXYS

Vorrätig: 132

Stückpreis : Fr. 23.44000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFN50N120SIC
DigiKey-Teilenr.	IXFN50N120SIC-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFN50N120SIC
Beschreibung	SICFET N-CH 1200V 47A SOT227B
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 47 A (Tc) Chassisbefestigung SOT-227B
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	47 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	20V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	50mOhm bei 40A, 20V
Vgs(th) (max.) bei Id	2,4V bei 10mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	100 nC @ 20 V
Vgs (Max.)	+20V, -5V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1900 pF @ 1000 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	-
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Chassisbefestigung
Gehäusetyp vom Lieferanten	SOT-227B
Gehäuse / Hülle	SOT-227-4, miniBLOC
Basis-Produktnummer	IXFN50