N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 37W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFP22N65X2M

DigiKey-Teilenr.
IXFP22N65X2M-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFP22N65X2M
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 22A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 22 A (Tc) 37W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Category
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
37 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2190 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
37W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220, isolierte Fahne
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
145mOhm bei 11A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 4.92000Fr. 4.92
50Fr. 2.59680Fr. 129.84
100Fr. 2.37210Fr. 237.21
500Fr. 1.97870Fr. 989.35
1’000Fr. 1.85242Fr. 1’852.42
2’000Fr. 1.78333Fr. 3’566.66
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 4.92000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 5.31852