N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
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IXFP34N65X2M

DigiKey-Teilenr.
IXFP34N65X2M-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFP34N65X2M
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 34A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 40W (Tc) Durchkontaktierung TO-220, isolierte Fahne
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 1,5mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
56 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3230 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
40W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220, isolierte Fahne
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
100mOhm bei 17A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 8.01000Fr. 8.01
50Fr. 4.42700Fr. 221.35
100Fr. 4.08200Fr. 408.20
500Fr. 3.47840Fr. 1’739.20
1’000Fr. 3.40131Fr. 3’401.31
Standardverpackung des Herstellers
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