N-Kanal 850 V 3,5 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB (IXFP)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
N-Kanal 850 V 3,5 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB (IXFP)
IXFP4N85X, IXFP14N85X (back)

IXFP4N85X

DigiKey-Teilenr.
IXFP4N85X-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXFP4N85X
Beschreibung
MOSFET N-CH 850V 3.5A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 850 V 3,5 A (Tc) 150W (Tc) Durchkontaktierung TO-220AB (IXFP)
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
HiPerFET™, Ultra X
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
850 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
3,5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,5Ohm bei 2A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
247 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
150W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220AB (IXFP)
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXFP4N85
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