IXFQ50N60X IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFQ50N60X
DigiKey-Teilenr.	IXFQ50N60X-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFQ50N60X
Beschreibung	MOSFET N-CH 600V 50A TO3P
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 50 A (Tc) 660W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	73mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	116 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4660 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	660W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer	IXFQ50