TO-268HV
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFT150N17T2

DigiKey-Teilenr.
IXFT150N17T2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFT150N17T2
Beschreibung
MOSFET N-CH 175V 150A TO268HV
Standardlieferzeit des Herstellers
25 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 175 V 150 A (Tc) 880W (Tc) Oberflächenmontage TO-268HV (IXFT)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
175 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
12mOhm bei 75A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
233 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
14600 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
880W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-268HV (IXFT)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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