IXFT50N20 IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

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Stückpreis : Fr. 4.07150

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFT50N20
DigiKey-Teilenr.	IXFT50N20-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFT50N20
Beschreibung	MOSFET N-CH 200V 50A TO268
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 200 V 50 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	50 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	45mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	220 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4400 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	300W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268AA
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	IXFT50