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IXYS
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Datenblatt
TO-268
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFT58N20

DigiKey-Teilenr.
IXFT58N20-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXFT58N20
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 58A TO268
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 58 A (Tc) 300W (Tc) Oberflächenmontage TO-268AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
40mOhm bei 29A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
220 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
4400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
300W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-268AA
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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