IXFT78N60X3HV IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFT78N60X3HV
DigiKey-Teilenr.	238-IXFT78N60X3HV-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFT78N60X3HV
Beschreibung	MOSFET ULTRA 600V 78A TO268HV
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 600 V 78 A (Tc) 780W (Tc) Oberflächenmontage TO-268HV (IXFT)

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Ultra X3
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	78 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	38mOhm bei 39A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	70 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4700 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	780W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-268HV (IXFT)
Gehäuse / Hülle	TO-268-3, D3PAK (2 Pins + Lasche), TO-268AA
Basis-Produktnummer	IXFT78