IXFV36N50P IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

IXFV36N50P ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.

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Microchip Technology

Vorrätig: 4

Stückpreis : Fr. 4.98000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFV36N50P
DigiKey-Teilenr.	IXFV36N50P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFV36N50P
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 36A PLUS220
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 36 A (Tc) 540W (Tc) Durchkontaktierung PLUS220

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, PolarP2™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	36 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	170mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 4mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	93 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	5500 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	540W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	PLUS220
Gehäuse / Hülle	TO-220-3 kurze Fahne
Basis-Produktnummer	IXFV36