IXFY5N50P3 IXYS | Diskrete Halbleiterprodukte

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Stückpreis : Fr. 1.50000

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXFY5N50P3
DigiKey-Teilenr.	IXFY5N50P3-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXFY5N50P3
Beschreibung	MOSFET N-CH 500V 5A TO252
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 500 V 5 A (Tc) 114W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™, Polar3™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Obsolet
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	500 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	5 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	1,65Ohm bei 2,5A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 1mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	6.9 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	370 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	114W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-252AA
Gehäuse / Hülle	TO-252-3, DPAK (2 Pins + Lasche), SC-63
Basis-Produktnummer	IXFY5N50