


IXFY8N65X2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXFY8N65X2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXFY8N65X2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 8A TO252AA |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-252AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 11 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 790 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 150W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Oberflächenmontage |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-252AA |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 450mOhm bei 4A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IPD60R600P7SAUMA1 | Infineon Technologies | 18’938 | IPD60R600P7SAUMA1CT-ND | Fr. 0.90000 | Ähnlich |
| IPD80R600P7ATMA1 | Infineon Technologies | 4’126 | IPD80R600P7ATMA1CT-ND | Fr. 1.79000 | Ähnlich |
| SPD08N50C3ATMA1 | Infineon Technologies | 11’376 | SPD08N50C3ATMA1CT-ND | Fr. 2.08000 | Ähnlich |
| STD11NM65N | STMicroelectronics | 4’106 | 497-13352-1-ND | Fr. 3.43000 | Ähnlich |
| STD8N65M5 | STMicroelectronics | 504 | 497-10878-1-ND | Fr. 2.72000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.34000 | Fr. 3.34 |
| 70 | Fr. 1.63200 | Fr. 114.24 |
| 140 | Fr. 1.48693 | Fr. 208.17 |
| 560 | Fr. 1.26230 | Fr. 706.89 |
| 1’050 | Fr. 1.18344 | Fr. 1’242.61 |
| 2’030 | Fr. 1.15984 | Fr. 2’354.48 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.34000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.61054 |

