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Verfügbare Ersatzkomponenten:

Direkter Ersatz

APT47N60BC3G
Microchip Technology
Vorrätig: 1
Stückpreis : Fr. 10.80000
Datenblatt

Ähnlich

FCH070N60E
onsemi
Vorrätig: 619
Stückpreis : Fr. 6.98000
Datenblatt

Ähnlich

FCH072N60
onsemi
Vorrätig: 111
Stückpreis : Fr. 7.26000
Datenblatt

Ähnlich

FCH47N60-F133
onsemi
Vorrätig: 412
Stückpreis : Fr. 7.90000
Datenblatt

Ähnlich

IPW60R070CFD7XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 157
Stückpreis : Fr. 5.00000
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Ähnlich

IPW60R080P7XKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 1’440
Stückpreis : Fr. 4.29000
Datenblatt

Ähnlich

SPW55N80C3FKSA1
Infineon Technologies
Vorrätig: 758
Stückpreis : Fr. 12.11000
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Ähnlich

STW34NM60N
STMicroelectronics
Vorrätig: 419
Stückpreis : Fr. 7.16000
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Ähnlich

STW43N60DM2
STMicroelectronics
Vorrätig: 530
Stückpreis : Fr. 6.08000
Datenblatt

Ähnlich

STW45N60DM2AG
STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 5.74000
Datenblatt

Ähnlich

STW45N65M5
STMicroelectronics
Vorrätig: 2’125
Stückpreis : Fr. 5.73000
Datenblatt

Ähnlich

STW48NM60N
STMicroelectronics
Vorrätig: 417
Stückpreis : Fr. 6.80000
Datenblatt

Ähnlich

STWA48N60M2
STMicroelectronics
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 2.81300
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Ähnlich

TK31N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage
Vorrätig: 0
Stückpreis : Fr. 9.25000
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TO-247-AD-EP-(H)
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXKH47N60C

DigiKey-Teilenr.
IXKH47N60C-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXKH47N60C
Beschreibung
MOSFET N-CH 600V 47A TO247AD
Standardlieferzeit des Herstellers
21 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 600 V 47 A (Tc) Durchkontaktierung TO-247AD
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
CoolMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
600 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
47 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
70mOhm bei 30A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
650 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
-
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247AD
Gehäuse / Hülle
TO-247-3
Basis-Produktnummer
IXKH47
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30Fr. 15.92333Fr. 477.70
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