Name: IXSA110N65L2-7TR
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSA110N65L2-7TR-ND
Price: 11.0262 CHF
Availability: InStock

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IXSA110N65L2-7TR
DigiKey-Teilenr.	238-IXSA110N65L2-7TR-ND - Gurt auf Rolle (Tape and Reel - TR) 238-IXSA110N65L2-7TRCT-ND - Gurtabschnitt (CT) 238-IXSA110N65L2-7TRDKR-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXSA110N65L2-7TR
Beschreibung	650V 25M (110A @ 25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 111A (Tc) 600W (Tc) Oberflächenmontage TO-263-7
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Kategorie Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 12mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 125 nC @ 18 V
Status der Komponente Aktiv	Vgs (Max.) +20V, -5V
FET-Typ N-Kanal	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 3090 pF @ 600 V
Technologie SiCFET (Siliziumkarbid)	Verlustleistung (max.) 600W (Tc)
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V	Betriebstemperatur -55°C bis 175°C (TJ)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 111A (Tc)	Montagetyp Oberflächenmontage
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 15V, 18V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-263-7
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 33mOhm bei 40A, 18V	Gehäuse / Hülle TO-263-8, D2PAK (7 Pins + Lasche), TO-263CA

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IXSA110N65L2-7TR