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N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
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N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
8PowerSFN

IXSH65N120L2KHV

DigiKey-Teilenr.
238-IXSH65N120L2KHV-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXSH65N120L2KHV
Beschreibung
1200V 40M (65A @ 25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 65 A (Tc) 375W (Tc) Durchkontaktierung TO-247-4L
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 9mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
110 nC @ 18 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
+20V, -5V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
2160 pF @ 800 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
375W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247-4L
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
15V, 18V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
52mOhm bei 20A, 18V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 9.38000Fr. 9.38
10Fr. 6.49300Fr. 64.93
450Fr. 4.20793Fr. 1’893.57
900Fr. 4.13211Fr. 3’718.90
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 9.38000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 10.13978