Name: IXSJ80N120R1K
Brand: IXYS
SKU: 238-IXSJ80N120R1K-ND
Price: 25.21973 CHF
Availability: OutOfStock

Neues Produkt

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IXSJ80N120R1K
DigiKey-Teilenr.	238-IXSJ80N120R1K-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXSJ80N120R1K
Beschreibung	1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers	32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Durchkontaktierung ISO247-4L
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	-
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	SiCFET (Siliziumkarbid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	85 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	18V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	23,4mOhm bei 40A, 18V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,8V bei 22,2mA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	155 nC @ 18 V
Vgs (Max.)	+21V, -4V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	4556 pF @ 800 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	223,2W (Tc)
Betriebstemperatur	-40°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	ISO247-4L
Gehäuse / Hülle	TO-247-4

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