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IXSJ80N120R1K | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXSJ80N120R1K-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXSJ80N120R1K |
Beschreibung | 1200V 18M (30A @ 25C) SIC MOSFET |
Standardlieferzeit des Herstellers | 35 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 1200 V 85 A (Tc) 223,2W (Tc) Durchkontaktierung ISO247-4L |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,8V bei 22,2mA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 155 nC @ 18 V |
Verpackung Stange | Vgs (Max.) +21V, -4V |
Status der Komponente Aktiv | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 4556 pF @ 800 V |
FET-Typ | Verlustleistung (max.) 223,2W (Tc) |
Technologie | Betriebstemperatur -40°C bis 150°C (TJ) |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 1200 V | Montagetyp Durchkontaktierung |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäusetyp vom Lieferanten ISO247-4L |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 18V | Gehäuse / Hülle |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 23,4mOhm bei 40A, 18V |
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| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 27.16000 | Fr. 27.16 |
| 30 | Fr. 17.81967 | Fr. 534.59 |
| 120 | Fr. 16.32683 | Fr. 1’959.22 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 27.16000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 29.35996 |
