TO-263AB
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTA06N120P

DigiKey-Teilenr.
IXTA06N120P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTA06N120P
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 600MA TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 600mA (Tc) 42W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
32Ohm bei 300mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 50µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
13.3 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
270 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
42W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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500Fr. 1.75148Fr. 875.74
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