
IXTA08N100D2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXTA08N100D2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTA08N100D2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 32 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA |
Datenblatt | Datenblatt |
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
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Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 1000 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | - | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 21Ohm bei 400mA, 0V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | - | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 14.6 nC @ 5 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 325 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 60W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Oberflächenmontage | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-263AA | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.18000 | Fr. 3.18 |
| 50 | Fr. 1.61540 | Fr. 80.77 |
| 100 | Fr. 1.46440 | Fr. 146.44 |
| 500 | Fr. 1.19972 | Fr. 599.86 |
| 1’000 | Fr. 1.11472 | Fr. 1’114.72 |
| 2’000 | Fr. 1.07200 | Fr. 2’144.00 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.18000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.43758 |










