N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
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IXTA08N100D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTA08N100D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTA08N100D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 800MA TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1000 V 800mA (Tc) 60W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
14.6 nC @ 5 V
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
325 pF @ 25 V
Verpackung
Stange
Verlustleistung (max.)
60W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ
Montagetyp
Oberflächenmontage
Technologie
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263AA
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Gehäuse / Hülle
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
21Ohm bei 400mA, 0V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 3.31000Fr. 3.31
50Fr. 1.68320Fr. 84.16
100Fr. 1.52570Fr. 152.57
500Fr. 1.25000Fr. 625.00
1’000Fr. 1.16143Fr. 1’161.43
2’000Fr. 1.08700Fr. 2’174.00
5’000Fr. 1.04386Fr. 5’219.30
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 3.31000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 3.57811