Name: IXTA110N055T2
Brand: IXYS
SKU: IXTA110N055T2-ND
Price: 3.57811 CHF
Availability: OutOfStock

IXTA110N055T2
DigiKey-Teilenr.	IXTA110N055T2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA110N055T2
Beschreibung	MOSFET N-CH 55V 110A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 55 V 110 A (Tc) 180W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt	Datenblatt

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	TrenchT2™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	55 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	110 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	6,6mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	57 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3060 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	180W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263AA
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IXTA110

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 3.31000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 3.57811

IXTA110N055T2