N-Kanal, Verarmungsmodus 1700 V 1 A (Tc) 290W (Tc) Oberflächenmontage TO-263HV
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IXTA1N170DHV

DigiKey-Teilenr.
238-IXTA1N170DHV-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTA1N170DHV
Beschreibung
MOSFET N-CH 1700V 1A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 1700 V 1 A (Tc) 290W (Tc) Oberflächenmontage TO-263HV
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
16Ohm bei 500mA, 0V
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
47 nC @ 5 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3090 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
290W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1700 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-263HV
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 21.81000Fr. 21.81
50Fr. 13.33640Fr. 666.82
100Fr. 12.52410Fr. 1’252.41
500Fr. 12.38464Fr. 6’192.32
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