Name: IXTA1N200P3HV
Brand: IXYS
SKU: IXTA1N200P3HV-ND
Price: 9.05878 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTA1N200P3HV
DigiKey-Teilenr.	IXTA1N200P3HV-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA1N200P3HV
Beschreibung	MOSFET N-CH 2000V 1A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	33 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 2000 V 1 A (Tc) 125W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt	Datenblatt
EDA/CAD-Modelle	IXTA1N200P3HV Modelle

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Polar P3™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	2000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	1 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	40Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	23.5 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	646 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	125W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263AA
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IXTA1

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50	Fr. 4.67540	Fr. 233.77
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