Name: IXTA20N65X2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA20N65X2-ND
Price: 2.67674 CHF
Availability: OutOfStock

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IXTA20N65X2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTA20N65X2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA20N65X2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 20A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 290W (Tc) Oberflächenmontage TO-263 (D2PAK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Ultra X2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	20 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	185mOhm bei 10A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	27 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1450 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	290W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263 (D2PAK)
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IXTA20

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