Name: IXTA80N10T
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTA80N10T-ND
Price: 4.324 CHF
Availability: OutOfStock

IXTA80N10T
DigiKey-Teilenr.	238-IXTA80N10T-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA80N10T
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 80A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	23 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 80 A (Tc) 230W (Tc) Oberflächenmontage TO-263AA
Datenblatt	Datenblatt

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Trench
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	80 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	14mOhm bei 25A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 100µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	60 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	3040 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	230W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263AA
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IXTA80

Stückpreis ohne MwSt.:	Fr. 4.00000
Stückpreis mit MwSt.:	Fr. 4.32400

IXTA80N10T