Name: IXTA8N65X2
Brand: IXYS
SKU: IXTA8N65X2-ND
Price: 3.28624 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTA8N65X2
DigiKey-Teilenr.	IXTA8N65X2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTA8N65X2
Beschreibung	MOSFET N-CH 650V 8A TO263
Standardlieferzeit des Herstellers	41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 650 V 8 A (Tc) 150W (Tc) Oberflächenmontage TO-263
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Ultra X2
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	8 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	500mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	800 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	150W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Oberflächenmontage
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-263
Gehäuse / Hülle	TO-263-3, D2PAK (2 Pins + Lasche), TO-263AB
Basis-Produktnummer	IXTA8

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Menge

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Menge	Stückpreis	Gesamtpreis
1	Fr. 3.04000	Fr. 3.04
50	Fr. 1.53000	Fr. 76.50
100	Fr. 1.52590	Fr. 152.59
500	Fr. 1.27728	Fr. 638.64
1’000	Fr. 1.22118	Fr. 1’221.18
2’000	Fr. 1.19110	Fr. 2’382.20

Standardverpackung des Herstellers

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