N-Kanal 200 V 120 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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IXTH120N20X4

DigiKey-Teilenr.
238-IXTH120N20X4-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH120N20X4
Beschreibung
MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 120 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
108 nC @ 10 V
Verpackung
Stange
Vgs (Max.)
±20V
Status der Komponente
Aktiv
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6100 pF @ 25 V
FET-Typ
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Technologie
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Montagetyp
Durchkontaktierung
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Gehäuse / Hülle
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9,5mOhm bei 60A, 10V
Basis-Produktnummer
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 216
Bestand des Herstellers: 1’410
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 10.20000Fr. 10.20
30Fr. 6.14300Fr. 184.29
120Fr. 5.25233Fr. 630.28
510Fr. 4.67118Fr. 2’382.30
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 10.20000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 11.02620