IXYX110N120A4
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTH120N20X4

DigiKey-Teilenr.
238-IXTH120N20X4-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH120N20X4
Beschreibung
MOSFET
Standardlieferzeit des Herstellers
41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 120 A (Tc) 417W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
-
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
9,5mOhm bei 60A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
108 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6100 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
417W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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30Fr. 4.65933Fr. 139.78
120Fr. 4.46992Fr. 536.39
510Fr. 4.25814Fr. 2’171.65
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