N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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IXTH12N65X2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTH12N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH12N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3
Standardlieferzeit des Herstellers
27 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 12 A (Tc) 180W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
17 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1100 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
180W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
300mOhm bei 6A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 303
Bestand des Herstellers: 1’470
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