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IXTH20N65X ist obsolet und wird nicht mehr hergestellt.
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Vom Hersteller empfohlen
Ähnlich
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Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXTH20N65X | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | IXTH20N65X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTH20N65X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 20A TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 20 A (Tc) 320W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
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Leere Attribute anzeigen
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 35 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 1390 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 320W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 210mOhm bei 10A, 10V |
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Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (5)
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH20N65X2 | IXYS | 111 | 238-IXTH20N65X2-ND | Fr. 7.03000 | Vom Hersteller empfohlen |
| SIHG17N80E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG17N80E-GE3-ND | Fr. 5.15000 | Ähnlich |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 1’812 | SPW17N80C3FKSA1-ND | Fr. 5.52000 | Ähnlich |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 50 | 497-15284-5-ND | Fr. 3.11000 | Ähnlich |
| STW23N80K5 | STMicroelectronics | 557 | 497-16331-5-ND | Fr. 5.45000 | Ähnlich |
Obsolet
