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IXTH30N60L2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXTH30N60L2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTH30N60L2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 600V 30A TO247 |
Standardlieferzeit des Herstellers | 46 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 600 V 30 A (Tc) 540W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
EDA/CAD-Modelle | IXTH30N60L2 Modelle |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 335 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±20V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 10700 pF @ 25 V |
Status der Komponente Aktiv | Verlustleistung (max.) 540W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 600 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 240mOhm bei 15A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| APT34F60B | Microchip Technology | 0 | APT34F60B-ND | Fr. 9.46525 | Ähnlich |
| IPW60R125C6FKSA1 | Infineon Technologies | 82 | 448-IPW60R125C6FKSA1-ND | Fr. 5.55000 | Ähnlich |
| SIHG15N60E-GE3 | Vishay Siliconix | 0 | SIHG15N60E-GE3-ND | Fr. 3.58000 | Ähnlich |
| SPW17N80C3FKSA1 | Infineon Technologies | 1’812 | SPW17N80C3FKSA1-ND | Fr. 5.52000 | Ähnlich |
| STW18N60M2 | STMicroelectronics | 50 | 497-15284-5-ND | Fr. 3.11000 | Ähnlich |
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 18.79000 | Fr. 18.79 |
| 30 | Fr. 11.93333 | Fr. 358.00 |
| 120 | Fr. 10.43358 | Fr. 1’252.03 |
| 510 | Fr. 10.25388 | Fr. 5’229.48 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 18.79000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 20.31199 |





