N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 540W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
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IXTH34N65X2

DigiKey-Teilenr.
IXTH34N65X2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTH34N65X2
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 34A TO247
Standardlieferzeit des Herstellers
22 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 34 A (Tc) 540W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH)
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 4mA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
53 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±30V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
3120 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
540W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-247 (IXTH)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
105mOhm bei 17A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 7.89000Fr. 7.89
30Fr. 4.64567Fr. 139.37
120Fr. 3.93375Fr. 472.05
510Fr. 3.41224Fr. 1’740.24
1’020Fr. 3.33461Fr. 3’401.30
Standardverpackung des Herstellers
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