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IXTH64N65X | |
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DigiKey-Teilenr. | IXTH64N65X-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTH64N65X |
Beschreibung | MOSFET N-CH 650V 64A TO247 |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal 650 V 64 A (Tc) 890W (Tc) Durchkontaktierung TO-247 (IXTH) |
Datenblatt | Datenblatt |
Kategorie | Vgs(th) (max.) bei Id 5V bei 250µA |
Herst. | Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 143 nC @ 10 V |
Serie | Vgs (Max.) ±30V |
Verpackung Stange | Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 5500 pF @ 25 V |
Status der Komponente Obsolet | Verlustleistung (max.) 890W (Tc) |
FET-Typ | Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ) |
Technologie | Montagetyp Durchkontaktierung |
Drain-Source-Spannung (Vdss) 650 V | Gehäusetyp vom Lieferanten TO-247 (IXTH) |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | Gehäuse / Hülle |
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V | Basis-Produktnummer |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 51mOhm bei 32A, 10V |
| Teilenummer | Hersteller | Verfügbare Menge | DigiKey-Teilenr. | Stückpreis | Typ des Ersatzartikels |
|---|---|---|---|---|---|
| IXTH62N65X2 | IXYS | 350 | IXTH62N65X2-ND | Fr. 10.54000 | Vom Hersteller empfohlen |
| FCH47N60N | onsemi | 1’816 | 1990-FCH47N60N-ND | Fr. 10.98000 | Ähnlich |
| IPW60R060P7XKSA1 | Infineon Technologies | 0 | IPW60R060P7XKSA1-ND | Fr. 6.14000 | Ähnlich |
| SIHG47N60EF-GE3 | Vishay Siliconix | 403 | SIHG47N60EF-GE3-ND | Fr. 8.85000 | Ähnlich |





