Name: IXTK200N10L2
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTK200N10L2-ND
Price: 32.63539 CHF
Availability: InStock

N-Kanal 100 V 200 A (Tc) 1040W (Tc) Durchkontaktierung TO-264 (IXTK)

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTK200N10L2
DigiKey-Teilenr.	238-IXTK200N10L2-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTK200N10L2
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 200A TO264
Standardlieferzeit des Herstellers	37 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 200 A (Tc) 1040W (Tc) Durchkontaktierung TO-264 (IXTK)
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

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Category Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs	Vgs(th) (max.) bei Id 4,5V bei 3mA
Herst. IXYS	Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs 540 nC @ 10 V
Serie Linear L2™	Vgs (Max.) ±20V
Verpackung Stange	Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds 23000 pF @ 25 V
Status der Komponente Aktiv	Verlustleistung (max.) 1040W (Tc)
FET-Typ N-Kanal	Betriebstemperatur -55°C bis 150°C (TJ)
Technologie MOSFET (Metalloxid)	Montagetyp Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss) 100 V	Gehäusetyp vom Lieferanten TO-264 (IXTK)
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C 200 A (Tc)	Gehäuse / Hülle TO-264-3, TO-264AA
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) 10V	Basis-Produktnummer IXTK200
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs 11mOhm bei 100A, 10V

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