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TO-264
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IXTK21N100

DigiKey-Teilenr.
IXTK21N100-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXTK21N100
Beschreibung
MOSFET N-CH 1000V 21A TO264
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1000 V 21 A (Tc) 500W (Tc) Durchkontaktierung TO-264 (IXTK)
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
Alle auswählen
Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
MegaMOS™
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1000 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
21 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
550mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4,5V bei 500µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
250 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
8400 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
500W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-264 (IXTK)
Gehäuse / Hülle
TO-264-3, TO-264AA
Basis-Produktnummer
IXTK21
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