TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP120P065T

DigiKey-Teilenr.
IXTP120P065T-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP120P065T
Beschreibung
MOSFET P-CH 65V 120A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
43 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
P-Kanal 65 V 120 A (Tc) 298W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
EDA/CAD-Modelle
IXTP120P065T Modelle
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
65 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
10mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±15V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
13200 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
298W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 6.02000Fr. 6.02
50Fr. 3.25160Fr. 162.58
100Fr. 2.98420Fr. 298.42
500Fr. 2.53120Fr. 1’265.60
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:Fr. 6.50762