N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP1R6N50D2

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP1R6N50D2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP1R6N50D2
Beschreibung
MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
24 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
23.7 nC @ 5 V
Herst.
Vgs (Max.)
±20V
Serie
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
645 pF @ 25 V
Verpackung
Stange
Verlustleistung (max.)
100W (Tc)
Status der Komponente
Aktiv
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
FET-Typ
Montagetyp
Durchkontaktierung
Technologie
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Drain-Source-Spannung (Vdss)
500 V
Gehäuse / Hülle
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
2,3Ohm bei 800mA, 0V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 240
Bestand des Herstellers: 850
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 4.28000Fr. 4.28
50Fr. 2.23160Fr. 111.58
100Fr. 2.03310Fr. 203.31
500Fr. 1.68538Fr. 842.69
1’000Fr. 1.57374Fr. 1’573.74
2’000Fr. 1.48059Fr. 2’961.18
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 4.28000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 4.62668
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