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Marketplace-Produkt
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.
IXTP1R6N50D2 | |
|---|---|
DigiKey-Teilenr. | 238-IXTP1R6N50D2-ND |
Hersteller | |
Hersteller-Teilenummer | IXTP1R6N50D2 |
Beschreibung | MOSFET N-CH 500V 1.6A TO220AB |
Standardlieferzeit des Herstellers | 50 Wochen |
Kundenreferenz | |
Detaillierte Beschreibung | N-Kanal, Verarmungsmodus 500 V 1,6 A (Tc) 100W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3 |
Datenblatt | Datenblatt |
Produkteigenschaften
Typ | Beschreibung | Alle auswählen |
|---|---|---|
Kategorie | ||
Herst. | ||
Serie | ||
Verpackung | Stange | |
Status der Komponente | Aktiv | |
FET-Typ | ||
Technologie | ||
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 500 V | |
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C | ||
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On)) | - | |
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs | 2,3Ohm bei 800mA, 0V | |
Vgs(th) (max.) bei Id | - | |
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs | 23.7 nC @ 5 V | |
Vgs (Max.) | ±20V | |
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds | 645 pF @ 25 V | |
FET-Merkmal | - | |
Verlustleistung (max.) | 100W (Tc) | |
Betriebstemperatur | -55°C bis 150°C (TJ) | |
Klasse | - | |
Qualifizierung | - | |
Montagetyp | Durchkontaktierung | |
Gehäusetyp vom Lieferanten | TO-220-3 | |
Gehäuse / Hülle | ||
Basis-Produktnummer |
Auf Lager: 300
Bestand des Herstellers: 850
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Menge
Alle Preise in CHF
Stange
| Menge | Stückpreis | Gesamtpreis |
|---|---|---|
| 1 | Fr. 3.34000 | Fr. 3.34 |
| 50 | Fr. 1.86440 | Fr. 93.22 |
| 100 | Fr. 1.73900 | Fr. 173.90 |
| 500 | Fr. 1.43482 | Fr. 717.41 |
| 1’000 | Fr. 1.33714 | Fr. 1’337.14 |
| 2’000 | Fr. 1.32220 | Fr. 2’644.40 |
| Stückpreis ohne MwSt.: | Fr. 3.34000 |
|---|---|
| Stückpreis mit MwSt.: | Fr. 3.61054 |
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