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Datenblatt
N-Kanal 55 V 200 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP200N055T2

DigiKey-Teilenr.
IXTP200N055T2-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP200N055T2
Beschreibung
MOSFET N-CH 55V 200A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 55 V 200 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
4V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
109 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6800 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
360W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
55 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,2mOhm bei 50A, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (8)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
CSD18532KCSTexas Instruments1’709296-34941-5-NDFr. 2.41000Ähnlich
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50Fr. 2.41800Fr. 120.90
100Fr. 2.20610Fr. 220.61
500Fr. 1.83480Fr. 917.40
1’000Fr. 1.71561Fr. 1’715.61
2’000Fr. 1.63405Fr. 3’268.10
Standardverpackung des Herstellers
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