N-Kanal 1200 V 3 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
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IXTP3N120

DigiKey-Teilenr.
238-IXTP3N120-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTP3N120
Beschreibung
MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers
32 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 1200 V 3 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
42 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
1350 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
200W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
1200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220-3
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
4,5Ohm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Auf Lager: 1’286
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Alle Preise in CHF
Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 7.81000Fr. 7.81
50Fr. 4.30700Fr. 215.35
100Fr. 3.96950Fr. 396.95
500Fr. 3.37888Fr. 1’689.44
1’000Fr. 3.29118Fr. 3’291.18
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis ohne MwSt.:Fr. 7.81000
Stückpreis mit MwSt.:Fr. 8.44261
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