Name: IXTP3N120
Brand: IXYS
SKU: 238-IXTP3N120-ND
Price: 8.1075 CHF
Availability: InStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTP3N120
DigiKey-Teilenr.	238-IXTP3N120-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTP3N120
Beschreibung	MOSFET N-CH 1200V 3A TO220AB
Standardlieferzeit des Herstellers	50 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 1200 V 3 A (Tc) 200W (Tc) Durchkontaktierung TO-220-3
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	HiPerFET™
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	1200 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	3 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	4,5Ohm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	42 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	1350 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	200W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-220-3
Gehäuse / Hülle	TO-220-3
Basis-Produktnummer	IXTP3

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50	Fr. 4.13380	Fr. 206.69
100	Fr. 3.80980	Fr. 380.98
500	Fr. 3.37990	Fr. 1’689.95

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