N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
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IXTP8N65X2M

DigiKey-Teilenr.
IXTP8N65X2M-ND
Hersteller
IXYS
Hersteller-Teilenummer
IXTP8N65X2M
Beschreibung
MOSFET N-CH 650V 4A TO220
Standardlieferzeit des Herstellers
41 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 650 V 4 A (Tc) 32W (Tc) Durchkontaktierung TO-220
Datenblatt
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Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
IXYS
Serie
Ultra X2
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
N-Kanal
Technologie
MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)
650 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
4 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
550mOhm bei 4A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±30V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
800 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
32W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-220
Gehäuse / Hülle
TO-220-3
Basis-Produktnummer
IXTP8
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500Fr. 1.22802Fr. 614.01
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