TO-3P
Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTQ100N25P

DigiKey-Teilenr.
IXTQ100N25P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTQ100N25P
Beschreibung
MOSFET N-CH 250V 100A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 250 V 100 A (Tc) 600W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
Typ
Beschreibung
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Kategorie
Herst.
Serie
Verpackung
Stange
Status der Komponente
Aktiv
FET-Typ
Technologie
Drain-Source-Spannung (Vdss)
250 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
24mOhm bei 50A, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
185 nC @ 10 V
Vgs (Max.)
±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6300 pF @ 25 V
FET-Merkmal
-
Verlustleistung (max.)
600W (Tc)
Betriebstemperatur
-55°C bis 150°C (TJ)
Klasse
-
Qualifizierung
-
Montagetyp
Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Gehäuse / Hülle
Basis-Produktnummer
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