N-Kanal 200 V 120 A (Tc) 714W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
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IXTQ120N20P

DigiKey-Teilenr.
IXTQ120N20P-ND
Hersteller
Hersteller-Teilenummer
IXTQ120N20P
Beschreibung
MOSFET N-CH 200V 120A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers
26 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung
N-Kanal 200 V 120 A (Tc) 714W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt
 Datenblatt
Produkteigenschaften
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Kategorie
Vgs(th) (max.) bei Id
5V bei 250µA
Herst.
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs
152 nC @ 10 V
Serie
Vgs (Max.)
±20V
Verpackung
Stange
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds
6000 pF @ 25 V
Status der Komponente
Aktiv
Verlustleistung (max.)
714W (Tc)
FET-Typ
Betriebstemperatur
-55°C bis 175°C (TJ)
Technologie
Montagetyp
Durchkontaktierung
Drain-Source-Spannung (Vdss)
200 V
Gehäusetyp vom Lieferanten
TO-3P
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C
Gehäuse / Hülle
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))
10V
Basis-Produktnummer
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs
22mOhm bei 500mA, 10V
Umwelt- und Exportklassifikationen
Fragen und Antworten zum Produkt
Zusätzliche Ressourcen
Ersatzartikel (1)
TeilenummerHersteller Verfügbare MengeDigiKey-Teilenr. Stückpreis Typ des Ersatzartikels
STW75NF20STMicroelectronics4’053497-5959-5-NDFr. 3.86000Ähnlich
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Stange
Menge Stückpreis Gesamtpreis
1Fr. 11.26000Fr. 11.26
30Fr. 6.83300Fr. 204.99
120Fr. 5.86408Fr. 703.69
510Fr. 5.30635Fr. 2’706.24
Standardverpackung des Herstellers
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Stückpreis mit MwSt.:Fr. 12.17206