Name: IXTQ75N10P
Brand: IXYS
SKU: IXTQ75N10P-ND
Price: 5.24285 CHF
Availability: OutOfStock

Die gezeigte Abbildung kann vom Original abweichen. Genaue Spezifikationen entnehmen Sie bitte dem Datenblatt.

IXTQ75N10P
DigiKey-Teilenr.	IXTQ75N10P-ND
Hersteller	IXYS
Hersteller-Teilenummer	IXTQ75N10P
Beschreibung	MOSFET N-CH 100V 75A TO3P
Standardlieferzeit des Herstellers	38 Wochen
Kundenreferenz
Detaillierte Beschreibung	N-Kanal 100 V 75 A (Tc) 360W (Tc) Durchkontaktierung TO-3P
Datenblatt	Datenblatt

Produkteigenschaften

Typ	Beschreibung	Alle auswählen
Kategorie	Diskrete Halbleiterprodukte Transistoren FETs, MOSFETs Einzelne FETs, MOSFETs
Herst.	IXYS
Serie	Polar
Verpackung	Stange
Status der Komponente	Aktiv
FET-Typ	N-Kanal
Technologie	MOSFET (Metalloxid)
Drain-Source-Spannung (Vdss)	100 V
Strom - Kontinuierlich, Drain (Id) bei 25°C	75 A (Tc)
Betriebsspannung (max. Rds(On), min. Rds(On))	10V
Rds(On) (Max.) bei Id, Vgs	25mOhm bei 500mA, 10V
Vgs(th) (max.) bei Id	5,5V bei 250µA
Gateladung (Qg) (Max.) bei Vgs	74 nC @ 10 V
Vgs (Max.)	±20V
Eingangskapazität (Ciss) (max.) bei Vds	2250 pF @ 25 V
FET-Merkmal	-
Verlustleistung (max.)	360W (Tc)
Betriebstemperatur	-55°C bis 175°C (TJ)
Klasse	-
Qualifizierung	-
Montagetyp	Durchkontaktierung
Gehäusetyp vom Lieferanten	TO-3P
Gehäuse / Hülle	TO-3P-3, SC-65-3
Basis-Produktnummer	IXTQ75

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30	Fr. 3.10867	Fr. 93.26
120	Fr. 2.83808	Fr. 340.57
510	Fr. 2.04129	Fr. 1’041.06
1’020	Fr. 1.99510	Fr. 2’035.00

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